[发明专利]电容器及其制造方法在审
| 申请号： | 201980002456.2 | 申请日： | 2019-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN110637359A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 樋口和人;小幡进;松尾圭一郎;佐野光雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01G4/33;H01L27/04 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够实现大的电容量的电容器。实施方式的电容器(1A)包括：基板(10)，具有第一面与第二面，设置有一个以上的贯通孔(TH1)，该一个以上的贯通孔(TH1)分别从所述第一面延伸至所述第二面；第一导电层(20a)，覆盖所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的贯通孔(TH1)的侧壁；第二导电层(20b)，隔着所述第一导电层(20a)而与所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的贯通孔(TH1)的侧壁相对；以及电介质层(50)，夹设于所述第一导电层(20a)与所述第二导电层(20b)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 第二面 贯通孔 第一导电层 电容器 第二导电层 侧壁 电介质层 电容量 面延伸 基板 夹设 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种电容器，具备：/n基板，具有第一面与第二面，且设置有分别从所述第一面延伸至所述第二面的、一个以上的第一贯通孔；/n第一导电层，覆盖所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的第一贯通孔的侧壁；/n第二导电层，隔着所述第一导电层而与所述第一面、所述第二面以及所述一个以上的第一贯通孔的侧壁相对；以及/n电介质层，夹设于所述第一导电层与所述第二导电层之间。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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