[发明专利]半导体激光器和电子设备在审
| 申请号： | 201980005918.6 | 申请日： | 2019-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111386638A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 德田耕太;渡边秀辉;河角孝行 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
根据本公开的一个实施例的半导体激光器设置有半导体多层部。半导体多层部依次包含第一包覆层、活性层、一个或多个低浓度杂质层、接触层和由透明导电材料形成的第二包覆层。该半导体多层部在包含该接触层的部分中另外具有在该层叠面内的一个方向上延伸的脊形。每个低浓度杂质层具有5.0×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体激光器 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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