[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 201980005944.9 | 申请日: | 2019-04-25 |
公开(公告)号: | CN111386604A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 山本纱矢香 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L25/18;H02M1/00;H02M7/483;H02M7/487 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 包跃华;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供一种抑制了电流路径的电阻值的偏差的半导体装置。提供具备具有并联连接的多个第一电路部的第一电路块、具有并联连接的多个第二电路部的第二电路块以及将第一电路块与第二电路块电连接的块间连接部的半导体装置,块间连接部具有电阻调整部,所述电阻调整部使从第一电路块到第二电路块中最靠近第一电路块配置的第二电路部为止的电流路径的电阻值增大。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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