[发明专利]用于分离逻辑和存储器阵列的制造工艺在审
| 申请号： | 201980006012.6 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN111406315A | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | H.塔基尔;M.莫斯托沃伊;E.耶罗;G.库马尔;李艳 | 申请（专利权）人： | 西部数据技术公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L27/11556;H01L21/56;H01L23/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开一种包含集成存储器模块的半导体装置。所述集成存储器模块可包含一对半导体管芯，所述一对半导体管芯一起操作为单个集成快闪存储器。在一个实例中，第一管芯可包含存储器单元阵列且第二管芯可包含例如CMOS集成电路的逻辑电路。在一个实例中，所述第二管芯可倒装芯片接合到所述第一管芯。所述第一管芯和所述第二管芯上的倒装芯片接合焊盘可做得较小，具有较小间距，以允许第一半导体管芯与第二半导体管芯之间的大量电互连件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 分离 逻辑 存储器 阵列 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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