[发明专利]静电卡盘装置及静电卡盘装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980006442.8 | 申请日： | 2019-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN111480222A | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 尾崎雅树;森下德人 | 申请（专利权）人： | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 陈亦欧;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 静电卡盘装置(1)具备：静电卡盘部(2)，具备具有载置板状试样W的载置面(11a)的基材(11)及将板状试样(W)静电吸附于载置面(11a)的静电吸附用内部电极(13)；冷却用基部(3)，冷却静电卡盘部(2)；及粘接剂层(4)，介于静电卡盘部(2)与冷却用基部(3)之间，基材(11)的载置面的形状呈凹面(23)或凸面，并且不包括拐点，该凹面(23)或凸面为从载置面(11a)的中心(11b)朝向载置面(11a)的外周(11c)逐渐弯曲的曲面状，以冷却用基部(3)的一主表面(3a)的位置为基准的凹面(23)或凸面的中心的高度与以冷却用基部(3)的一主表面(3a)的位置为基准的凹面(23)或凸面的外周的高度之差的绝对值为1μm以上且30μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
