[发明专利]通过基于选定字线修改沟道放电的持续时间来减少双层存储器设备中的读取干扰有效
| 申请号： | 201980006612.2 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN111602200B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 陈宏燕;赵伟;董颖达 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/08;G11C16/04;H10B41/27 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“通过基于选定字线修改沟道放电的持续时间来减少双层存储器设备中的读取干扰”。本发明公开了用于减少具有由接口分开的下层和上层的双层堆叠中的存储器单元的读取干扰的技术。在读取操作中，NAND串的沟道在读取选定存储器单元之前放电。放电周期基于选定字线在存储器单元的堆叠或块中的位置来设置。放电周期在选定字线在下层中时比在上层中时长。另外，放电周期在选定字线在下层的顶部处时比在下层的底部处时长。增加放电的其它选项包括根据选定字线的位置在放电周期期间增大字线电压的斜升速率和峰值电平。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 基于 选定 修改 沟道 放电 持续时间 减少 双层 存储器 设备 中的 读取 干扰 | ||
【主权项】：
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