[发明专利]在第一编程遍次中省略验证测试的用于存储器设备的多遍编程过程有效
| 申请号： | 201980006627.9 | 申请日： | 2019-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN111630599B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | A.巴拉斯卡尔;卢景煌;V.戴普;董颖达 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/08 | 分类号： | G11C16/08;G11C16/10;G11C16/04;G11C11/56;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“在第一编程遍次中省略验证测试的用于存储器设备的多遍编程过程”。本发明提供了用于减小多遍编程操作中的相邻字线干扰和电荷损失的技术。在一种实施方式中，多遍编程操作的第一遍次使用一个或多个编程脉冲而不执行相关联的验证测试。存储器单元可以在第一编程遍次中被编程为不同的中间阈值电压(Vth)分布。当施加单个编程脉冲时，可以使用不同的位线电压以获得不同的中间Vth分布。在其他情况下，施加多个编程脉冲而不执行验证测试。可以为分配给较高数据状态而不是较低数据状态的存储器单元提供中间Vth分布，或者为分配给较高数据状态和较低数据状态的存储器单元提供中间Vth分布。 | ||
| 搜索关键词： | 第一 编程 遍次中 省略 验证 测试 用于 存储器 设备 过程 | ||
【主权项】：
暂无信息
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