[发明专利]旋流形成体在审
| 申请号： | 201980006736.0 | 申请日： | 2019-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN111512427A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 德永英幸;舆石克洋;田中秀光;岩坂齐 | 申请（专利权）人： | 哈莫技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677;B23Q7/04;B25J15/06;B65G49/07 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张美芹;刘久亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 旋流形成体(1)设置有：通孔(102)；喷射口(106)，其形成在面对通孔(102)的内周表面(105)中；流体通道(109)，其将流体从喷射口(106)喷射到通孔(102)中以形成旋流，从而产生负压并抽吸待抽吸的物体；以及凸缘部(110)，其形成为从内周面(105)突出，允许被负压抽吸的流体流动，并且防止已经从喷射口(106)喷射的流体朝待抽吸的物体流出。内周面(105)形成为沿离开待抽吸的物体的方向引导已经从喷射口(106)喷射的流体并允许流体从通孔(102)排出。 | ||
| 搜索关键词： | 流形 成体 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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