[发明专利]选择性沉积的聚对二甲苯掩模在审
| 申请号： | 201980010034.X | 申请日： | 2019-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN111670487A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 王非;王苗君;普拉米特·曼娜;江施施;阿卜希吉特·巴苏·马尔利克;罗伯特·简·维瑟 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/311;H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 于此提供于图案化基板的表面上选择性地沉积掩模层的方法和自对准图案化掩模。于一个实施方式中，选择性沉积掩模层的方法包括以下步骤：将图案化基板定位于处理腔室的处理容积中的基板支撑件上；将图案化基板的表面暴露于聚对二甲苯单体气体；于图案化基板上形成第一层，其中第一层包含图案化的聚对二甲苯层；和于第一层上沉积第二层。于另一实施方式中，自对准的图案化掩模包含聚对二甲苯层，聚对二甲苯层包含多个聚对二甲苯特征及多个开口，聚对二甲苯层设置于图案化基板上，图案化基板包含介电层及多个金属特征，多个金属特征包含聚对二甲苯沉积抑制剂金属，及多个聚对二甲苯特征选择性形成于介电层的介电表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 沉积 二甲苯 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
