[发明专利]锥形存储器单元轮廓有效
申请号: | 201980011249.3 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN111670498B | 公开(公告)日: | 2022-08-16 |
发明(设计)人: | A·皮罗瓦诺;K·亚斯特列别涅茨基;F·佩里兹 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/11551 | 分类号: | H01L27/11551;H01L27/11578;H01L27/11529;H01L27/11573 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本申请涉及锥形存储器单元轮廓。描述了用于锥形存储器单元轮廓的方法、系统和装置。锥形轮廓存储器单元可以缓解相邻字线中的短路,这可以用于准确地读取存储器单元的存储值。存储器装置可以包含自选存储器部件,所述自选存储器部件具有底部表面和与底部表面相对的顶部表面。在一些情况下,自选存储器部件可以从底部表面到顶部表面渐缩。在其它示例中,自选存储器部件可以从顶部表面到底部表面渐缩。自选存储器部件的顶部表面可以耦合到顶部电极,并且自选存储器部件的底部表面可以耦合到底部电极。 | ||
搜索关键词: | 锥形 存储器 单元 轮廓 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的