[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201980011551.9 | 申请日： | 2019-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN111684609B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 田丸雅规;吉田一磨;大辻通也;福岛哲之 | 申请（专利权）人： | 新唐科技日本株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 吕文卓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具备第一晶体管(T1)、第二晶体管(T2)，第1晶体管(T1)具有第1体层(113)、第1连接部(113A)，第2晶体管(T2)具有第2体层(123)、第2连接部(123A)，在第2连接部(123A)以及第2体层(123)的路径中，从第1源极电极(115)到第2体层(123)中阻抗成为最大的位置为止的第2阻抗，比在第1连接部(113A)以及第1体层(113)的路径中，从第1源极电极(115)到第1体层(113)中阻抗成为最大的位置为止的第1阻抗大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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