[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
| 申请号： | 201980014804.8 | 申请日： | 2019-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN111771261A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 深津英司;桥本光治;藤木博幸;井上正史 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀川通寺之内上4*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 首先，在腔室内执行作为预处理的第一处理。当第一处理结束后，通过热成像照相机(70)来测定腔室内的规定的对象区域(A)的温度。接着，基于所获取的测定温度信息(T1)来判断能否开始对基板(W)的第二处理。结果，在判断为能够开始第二处理的情况下，执行第二处理。如此，能够在腔室内的对象区域(A)的温度稳定的状态下，开始对基板(W)的第二处理。由此，能够对多个基板(W)均匀地进行第二处理。即，能够抑制由腔室内的温度环境引起的处理的不均。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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