[发明专利]非易失性存储电路在审
| 申请号： | 201980015138.X | 申请日： | 2019-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN112020744A | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 平贺启三 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术涉及一种非易失性存储电路，该非易失性存储电路在维持稳定写入的同时允许小型化和降低的功耗。该非易失性存储电路设置有：存储信息的易失性存储部；以及非易失性存储部，通过存储操作将所述易失性存储部中的信息写入所述非易失性存储部中，并且通过恢复操作经由与用于所述存储操作的存储路径不同的恢复路径，将信息从所述非易失性存储部读出到所述易失性存储部中，其中沿着所述存储路径配置的所有晶体管使其漏极连接在一起。本技术可以应用于NVDFF电路。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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