[发明专利]三维存储器器件有效
申请号: | 201980015450.9 | 申请日: | 2019-02-22 |
公开(公告)号: | CN111788685B | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | F·D·菲什伯恩;C·L·英戈尔斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;G11C11/40 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 使用三维存储器器件的系统和方法可用于各种应用中,所述三维存储器器件具有垂直地设置在沿水平方向布置的多个柱中的多个存储器单元。在各种实施例中,存储器单元的柱可设置在分别耦合到不同的读出放大器的下数字线与上数字线之间,以提供读取/写入操作和刷新操作。在各种实施例中,具有垂直地布置在柱中的存储器单元的阵列的三维存储器器件可包含读出放大器和具有静态随机存取存储器高速缓存的数字线,其中静态随机存取存储器高速缓存设置在同一管芯中的存储器单元的阵列下方。公开了附加的设备、系统和方法。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储器 器件 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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