[发明专利]使用深隔离的FinFET技术在审
| 申请号： | 201980017868.3 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN111837232A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | J·卡普;M·J·哈特 | 申请（专利权）人： | 赛灵思公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/762;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 傅远 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文中描述了FinFET晶体管(102)、(104)、PN结(150)及其形成方法(400)。在一个示例中，描述了一种FinFET晶体管(102、104)，该FinFET晶体管(102、104)包括金属栅极(208)所包裹的沟道区域(214)，该沟道区域(214)连接源极区域(210)和漏极区域(212)。第一氧化物隔离层(112)设置在鳍(202)的第一侧上，而第二氧化物隔离层(114)设置在鳍(202)的第二侧上，其中第二侧与第一侧相对。第二氧化物隔离层(114)的厚度(284)大于第一氧化物隔离层(112)的厚度(280)。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 隔离 finfet 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赛灵思公司，未经赛灵思公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980017868.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
