[发明专利]加热处理装置和加热处理方法在审
| 申请号： | 201980019855.X | 申请日： | 2019-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN111954923A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 大塚幸信;相良慎一 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 对形成于基板的涂布膜进行加热处理的加热处理装置具有：载置部，其载置基板；加热部，其用于将载置的基板进行加热；环状体，其以包围该载置部的外周的方式设置；盖体，其覆盖该载置部，并且通过盖体的下表面与所述环状体抵接或接近来形成加热处理空间；中央排气部，其配置于该盖体的中央部，用于对该加热处理空间内进行排气；以及控制部，其对载置于该载置部的基板的加热处理进行控制，其中，该控制部进行控制以进行以下工序：第一加热处理工序，在形成该加热处理空间并且在该加热处理空间内存在基板的状态下，不对该加热处理空间内进行排气，进行该基板的加热；以及第二加热处理工序，使该中央排气部工作来对该加热处理空间内进行排气，并且进行该基板的加热。 | ||
| 搜索关键词： | 加热 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
