[发明专利]研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法、及半导体基板的制造方法有效
申请号: | 201980021268.4 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN111902514B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 吉崎幸信;高桥洋平;中田阳平 | 申请(专利权)人: | 福吉米株式会社 |
主分类号: | C09K3/14 | 分类号: | C09K3/14;H01L21/3105;B24B37/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供对包含(a)具有硅‑氮键的材料、和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨时,可以使前述(a)材料的研磨速度相对于前述(b)材料的研磨速度的比提高的手段。本发明为用于对包含(a)具有硅‑氮键的材料和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨的研磨用组合物,所述研磨用组合物包含:有机酸固定二氧化硅、分散介质、使前述(a)材料的研磨速度相对于前述(b)材料的研磨速度的比提高的选择比提高剂和、酸,前述选择比提高剂为具有亲水性基团的有机聚硅氧烷。 | ||
搜索关键词: | 研磨 组合 制造 方法 半导体 | ||
【主权项】:
暂无信息
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