[发明专利]研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、研磨方法、及半导体基板的制造方法有效

专利信息
申请号: 201980021268.4 申请日: 2019-02-28
公开(公告)号: CN111902514B 公开(公告)日: 2022-06-10
发明(设计)人: 吉崎幸信;高桥洋平;中田阳平 申请(专利权)人: 福吉米株式会社
主分类号: C09K3/14 分类号: C09K3/14;H01L21/3105;B24B37/00
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供对包含(a)具有硅‑氮键的材料、和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨时,可以使前述(a)材料的研磨速度相对于前述(b)材料的研磨速度的比提高的手段。本发明为用于对包含(a)具有硅‑氮键的材料和(b)其他材料的研磨对象物进行研磨的研磨用组合物,所述研磨用组合物包含:有机酸固定二氧化硅、分散介质、使前述(a)材料的研磨速度相对于前述(b)材料的研磨速度的比提高的选择比提高剂和、酸,前述选择比提高剂为具有亲水性基团的有机聚硅氧烷。
搜索关键词: 研磨 组合 制造 方法 半导体
【主权项】:
暂无信息
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