[发明专利]半导体光器件的制造方法和半导体光器件的中间体在审
| 申请号： | 201980022749.7 | 申请日： | 2019-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN111919305A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 小鹿优太;门胁嘉孝;生田哲也 | 申请（专利权）人： | 同和电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/30 | 分类号： | H01L33/30;H01L21/205;H01L31/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供能够抑制网纹的半导体光器件的制造方法和半导体光器件的中间体。本发明的半导体光器件的制造方法包括：在InP生长用基板上形成蚀刻阻挡层的工序；以及在前述蚀刻阻挡层上形成半导体层叠体的工序，所述半导体层叠体层叠有多层至少包含In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层，前述蚀刻阻挡层的厚度为100nm以下。另外，本发明的半导体光器件的中间体具备：InP生长用基板、形成在前述InP生长用基板上的蚀刻阻挡层、以及形成在前述蚀刻阻挡层上且层叠有多层至少包含In和P的InGaAsP系III‑V族化合物半导体层的半导体层叠体，前述蚀刻阻挡层的厚度为100nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 器件 制造 方法 中间体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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