[发明专利]抗蚀剂和蚀刻建模在审
| 申请号： | 201980027462.3 | 申请日： | 2019-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112005347A | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 萨拉瓦纳普里亚·西里拉曼;大卫·M·弗瑞德 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/027;H01L21/311;G03F7/20;G03F1/80 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 计算机实施方法以及计算机程序产品具有用于生成传递函数的指令，所述传递函数将光刻光掩模上的区段与通过使用这样的区段的光刻及蚀刻操作所产生的特征相关联一。这种方法可以通过以下要素表征：(a)接收产生自一或多个第一测试衬底的显影后检验的检测结果，其中在所述一或多个第一测试衬底上已涂布抗蚀剂并使用成组的设计布局区段进行图案化；(b)接收产生自一或多个第二测试衬底的蚀刻后检验的检测结果，所述一或多个第二测试衬底是在将抗蚀剂涂布并使用所述成组的设计布局区段图案化之后受蚀刻；以及(c)将所述成组的设计布局区段与相对应的显影后检验的检测结果以及相对应的蚀刻后检验的检测结果一同使用于生成所述传递函数。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 蚀刻 建模 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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