[发明专利]热处理系统中用于局部加热的支撑板在审
| 申请号： | 201980028096.3 | 申请日： | 2019-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112236850A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 罗尔夫·布雷芒斯多费尔;J·凯普勒;杨晓晅;T·胡斯曼 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 王艳波;林军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了用于在热处理系统中进行局部加热以均匀加热工件的支撑板。在一个示例性实施方式中，通过修改支撑板的透热率来实现局部加热，使得支撑板靠近引起冷点的区域的一个或多个部分比支撑板的其余部分透射更多的热。例如，支撑板的一个或多个部分(例如，靠近一个或多个支撑销的区域)具有比支撑板的其余部分更高的透热率(例如，更高的光透射率)。在另一示例性实施方式中，除了通过来自热源的光整体加热工件之外，还通过穿过透射支撑结构(例如，一个或多个支撑销，或环形支撑体)的相干光源加热工件来实现局部加热。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 系统 用于 局部 加热 支撑 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
