[发明专利]用于检测陈化处理的终点的方法和设备在审
| 申请号： | 201980028383.4 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN112041976A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | S·V·R·科米塞蒂;瑞安·帕茨;赛斯恩德拉·甘塔萨拉;张立明;伊达·滕塞;肖恩·史密斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于在处理腔室中检测陈化处理的终点的方法，该方法包括以下步骤：获得指示第一多个基板中的每一基板的陈化处理的进度的陈化进度数据，以及从设置在处理腔室中的多个传感器收集历史参数值。相对于第一多个基板中的特定基板的多个参数值，归一化第一多个基板中的每一基板的历史参数值。通过将一系数集应用于第一多个基板中的每一基板的归一化参数值来生成MVA模型，及基于陈化进度数据回归该系数集。使用MVA模型决定陈化处理的终点，该MVA模型具有当对第二多个基板中的每个基板执行陈化处理时测量的多个实质实时参数值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 检测 陈化 处理 终点 方法 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
