[发明专利]集成电路装置及制造该集成电路装置的方法在审
| 申请号： | 201980029795.X | 申请日： | 2019-05-02 |
| 公开（公告）号： | CN112074953A | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | J-P·拉斯金;M·瑞克 | 申请（专利权）人： | 法语天主教鲁汶大学 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01L21/84;H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 南毅宁 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路装置(100)包括具有至少为100Ω.cm的电阻率的半导体衬底(101)。电绝缘层(102)与所述半导体衬底(101)接触。所述电绝缘层(102)易于在所述半导体衬底(101)中诱导与所述电绝缘层(102)相接的寄生表面传导层。电路(103)位于所述电绝缘层之上。所述电路(103)包括能够在所述半导体衬底中诱导电场的部分(105)。所述集成电路装置(100)包括耗尽诱导结(108、109)，所述耗尽诱导结(108、109)的至少一部分包含在所述半导体衬底(101)中。所述耗尽诱导结(108、109)能够在所述半导体衬底(101)中自主地诱导耗尽区，所述耗尽区与所述电绝缘层(102)的位于所述电路(103)的两个部分(104、105)之间的部分相接。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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