[发明专利]臭氧水的制造方法在审
| 申请号： | 201980029833.1 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN112088422A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 白井泰雪;酒井健;自在丸隆行 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人东北大学;野村微科学股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B01F1/00;B01F3/04;B01F5/06;C02F1/68;G03F7/42;H01L21/027;C11D7/18;C11D7/54 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 对于以往的臭氧水而言，当今的半导体制造领域所要求的抗蚀剂去除速度/清洗力尚不充分，在食材的清洗、加工设备/器具的清洗、手指的清洗等领域、进而在消臭/脱臭/除菌/食材保鲜等领域中，也无法充分满足进一步提高杀菌/除菌/消臭/脱臭/清洗效果的期待。上述课题可通过将臭氧水的制造中的某些特定的多个制造参数的值规定为某一特定范围来解决。 | ||
| 搜索关键词： | 臭氧 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国立大学法人东北大学;野村微科学股份有限公司，未经国立大学法人东北大学;野村微科学股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980029833.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
