[发明专利]产生用于阵列区的缺陷样本有效
| 申请号： | 201980029918.X | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN112074936B | 公开（公告）日： | 2021-11-16 |
| 发明（设计）人： | V·阿南塔;M·玛利亚潘;R·巴布尔纳特;G·西瓦拉曼;S·库拉达;T·杰亚瑞曼;P·俄珀鲁里;S·坎都库里 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供用于产生用于样品的缺陷样本的方法及系统。一种方法包含基于通过输出获取子系统的检测器产生的输出检测样品上的缺陷。对于在所述样品上的阵列区中检测到的所述缺陷，其中所述阵列区包含多个阵列单元类型，所述方法包含基于所述多个阵列单元类型堆叠所述缺陷的信息。所述堆叠包含叠加仅所述多个阵列单元类型中的第一者的设计信息与仅在所述多个阵列单元类型中的所述第一者中检测到的所述缺陷的所述信息。另外，所述方法包含基于所述堆叠的结果选择经检测缺陷的部分，借此产生所述经检测缺陷的样本。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 用于 阵列 缺陷 样本 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
