[发明专利]磁记录介质用溅射靶有效
申请号: | 201980030501.5 | 申请日: | 2019-07-25 |
公开(公告)号: | CN112106134B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 镰田知成;栉引了辅;金光谭;齐藤伸 | 申请(专利权)人: | 田中贵金属工业株式会社;国立大学法人东北大学 |
主分类号: | G11B5/851 | 分类号: | G11B5/851;C23C14/34;G11B5/64;H01F1/047;H01F41/18 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 盛曼;金龙河 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
为了进一步高容量化,提供能够制作提高单轴磁各向异性、降低晶粒间交换耦合、提高热稳定性和SNR(信噪比)的磁性薄膜的磁记录介质用溅射靶。一种磁记录介质用溅射靶,其包含由选自Cu和Ni中的至少一种以上、Pt、作为余量的Co和不可避免的杂质构成的金属相以及至少含有B |
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搜索关键词: | 记录 介质 溅射 | ||
【主权项】:
暂无信息
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