[发明专利]多光谱光传感器在审
| 申请号： | 201980030557.0 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN112088434A | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | K-W·曾;Y-M·林 | 申请（专利权）人： | 威世科技公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/101;H01L27/144;G01J3/02;G01J3/28;G01J3/26 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种光电装置，其包括：包括多个第一光电二极管的光电二极管阵列，每一个第一光电二极管包括相应的n+区以及相应的n型井区；设置在光电二极管阵列上方的导向阵列，导向阵列包括通过遮光材料层彼此分开的多个导向构件，导向构件与第一光电二极管的n+区对准，使得每一个导向构件设置在不同的相应的n+区上方，并且遮光材料层与第一光电二极管的n型井区对准；以及设置在导向阵列上方的滤波器阵列，滤波器阵列包括多个带通滤波器，每一个带通滤波器与多个导向构件中的不同的导向构件对准，每一个带通滤波器具有不同的通频带。 | ||
| 搜索关键词： | 光谱 传感器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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