[发明专利]切晶粘晶一体型膜及其制造方法、以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201980032401.6 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN112219264B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 木村尚弘;田泽强;大久保惠介;矢羽田达也 | 申请（专利权）人： | 昭和电工材料株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开所涉及的切晶粘晶一体型膜包括：基材层、压敏胶黏剂层及胶黏剂层，该压敏胶黏剂层具有与基材层相向的第一面及其相反侧的第二面；该胶黏剂层以覆盖第二面的中央部的方式设置。压敏胶黏剂层具有第一区域及第二区域，该第一区域至少包含与胶黏剂层中的晶片的贴附位置对应的区域，该第二区域以包围第一区域的方式配置。第一区域为通过活性能量线的照射而处于与第二区域相比胶接力下降的状态的区域，在温度23℃下、剥离角度30°及剥离速度60mm/分钟的条件下所测定的第一区域相对于胶黏剂层的胶接力为1.2N/25mm以上且4.5N/25mm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 切晶粘晶一 体型 及其 制造 方法 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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