[发明专利]用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法有效
| 申请号： | 201980034252.7 | 申请日： | 2019-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN112166167B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 黄基煜;高尙兰;赵娟振;崔正敏;韩权愚;张俊英;尹龙云 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | C09K13/06 | 分类号： | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 韩国京畿道龙仁市器兴区贡税*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示一种用于氮化硅的蚀刻组成物及使用该蚀刻组成物的蚀刻方法，所述用于氮化硅的蚀刻组成物包含：磷酸化合物；水；以及硅烷化合物及其反应产物中的至少一者。该蚀刻组成物执行蚀刻时，可提高相较于氧化硅层对氮化硅层的蚀刻选择率。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氮化 蚀刻 组成 使用 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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