[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980037471.0 | 申请日： | 2019-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN112243534A | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 久保佑介;博洛托夫·谢尔盖 | 申请（专利权）人： | 迪睿合电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/29 | 分类号： | H01L23/29;H01L23/00;H05K7/20;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周春燕;金玉兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 目的在于提供具有优异的散热性和电磁波抑制效果的半导体装置。为了解决上述课题，本发明的半导体装置(1)特征在于，具备：半导体元件(30)、设置于所述半导体元件(30)的上部的导电性的冷却部件(40)、设置于所述半导体装置(30)与所述冷却部件(40)之间且含有树脂的固化物的导电性导热部件(10)，连接于所述基板(50)中的接地端(60)，并且将所述冷却部件(40)与所述接地端(60)电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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