[发明专利]成对的动态平行板电容耦合等离子体在审
| 申请号： | 201980039180.5 | 申请日： | 2019-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN112292755A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 哈里·庞内坎蒂;田中努;曼德亚姆·斯里拉姆;德米特里·季利诺;桑吉夫·巴鲁贾;马里奥·D·西尔韦蒂 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01J37/32;C23C16/455;H01L21/02;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了具有多个处理站和各个晶片支撑表面的处理腔室。处理站和晶片支撑表面布置成使得存在相等数量的处理站和加热器。RF发生器连接到第一站中的第一电极和第二站中的第二电极。底部RF路径经由第一支撑表面和第二支撑表面之间的连接件形成。 | ||
| 搜索关键词： | 成对 动态 平行 电容 耦合 等离子体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
