[发明专利]基片清洗方法、基片清洗系统和存储介质在审
| 申请号： | 201980040672.6 | 申请日： | 2019-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN112313778A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 相原明德 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一方式的基片清洗方法包括成膜处理液供给步骤、剥离处理液供给步骤和疏水化液供给步骤。成膜处理液供给步骤将含有挥发成分的用于在基片(W)上形成膜的成膜处理液(L1)供给到基片(W)。剥离处理液供给步骤对由于挥发成分的挥发而使成膜处理液(L1)在基片(W)上固化或者硬化从而形成的处理膜(F)，供给使处理膜(F)从基片(W)剥离的剥离处理液(L2)。疏水化液供给步骤对被供给了剥离处理液(L2)后的基片(W)，供给使基片(W)疏水化的疏水化液。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 系统 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
