[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980042098.8 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112368821A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 川岛宽之;中邑良一;香川恵永;小林悠作 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L23/522;H01L23/532;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 乔焱;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的一个实施例的半导体装置设置有：第一基板，其具有第一接合部；和第二基板，其具有接合至第一接合部的第二接合部。第一基板进一步包括第一多层配线层，其隔着第一绝缘层电连接至第一接合部，在第一多层配线层中，第一配线的一个表面面向第一绝缘层，第一配线形成在最靠近与第二基板的接合面的一侧，并且与该一个表面相对的另一表面与第二绝缘层接触，第二绝缘层的相对介电常数低于第一绝缘层的相对介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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