[发明专利]EUV表膜在审
| 申请号： | 201980042099.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN112334832A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 马克西姆·A·纳萨勒维奇;A·L·克莱因;E·库尔干诺娃;A·W·诺藤布姆;彼得-詹·范兹沃勒;D·F·弗莱斯 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/62 | 分类号： | G03F1/62;G03F1/22;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王益 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种表膜包括：芯，所述芯包括不同于碳化硅的材料；碳化硅粘合层；以及钌罩盖层，所述钌罩盖层与所述碳化硅粘合层接触。还描述了一种制备表膜的方法，包括以下步骤：(i)设置表膜芯；(ii)在表膜芯上设置碳化硅粘合层；以及(iii)设置与所述碳化硅粘合层相接触的钌罩盖层。还提供一种碳化硅在EUV表膜中作为粘合层的用法，以及一种组件。 | ||
| 搜索关键词： | euv 表膜 | ||
【主权项】：
暂无信息
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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