[发明专利]磁阻抗传感器及磁阻抗传感器的制造方法在审
| 申请号： | 201980043095.6 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN112400116A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 楠田达文 | 申请（专利权）人： | 日本电产理德股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 磁阻抗传感器1A包括：非晶线2；绝缘体层3，形成于非晶线2的外周面；以及X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z，以螺旋状形成于绝缘体层3的外周面，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z由导电层形成，X轴线圈6X、Y轴线圈6Y、及Z轴线圈6Z配置于相互正交的方向上。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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