[发明专利]利用先进控制的整合CMOS源极漏极形成在审
| 申请号： | 201980044705.4 | 申请日： | 2019-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN112385046A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 本杰明·科伦坡;图沙尔·曼德雷卡尔;帕特里夏·M·刘;苏克图·阿伦·帕里克;马蒂亚斯·鲍尔;迪米特里·R·基乌西斯;桑杰·纳塔拉扬;阿布舍克·杜贝 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/78;H01L21/8238;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/677;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种finFET器件包括掺杂的源极及/或漏极延伸部，所述源极及/或漏极延伸部设置在finFET的栅极间隔物与其上设置n掺杂或p掺杂的源极或漏极延伸部的半导体基板的主体半导体部分之间。掺杂的源极或漏极延伸部通过选择性外延生长(SEG)工艺形成在靠近栅极间隔物形成的空腔中。在形成空腔之后，先进处理控制(APC)(亦即，整合的度量法)用于在不将基板暴露于氧化环境的情况下确定凹陷距离。各向同性蚀刻工艺、度量法及选择性外延生长可在同一平台中执行。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 先进 控制 整合 cmos 源极漏极 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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