[发明专利]从氮化钛表面去除氧化物在审
| 申请号： | 201980044910.0 | 申请日： | 2019-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN112424925A | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | J·J·王;仲華 | 申请（专利权）人： | 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 郗名悦;闫茂娟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于从氮化钛表面去除氧化物的系统和工艺。在一个示例实施中，方法包括将工件放置在处理腔室中的工件支撑件上。工件可具有氮化钛层。方法可包括对氮化钛层进行基于等离子体的氧化物去除工艺。基于等离子体的氧化物去除工艺可包括：使用等离子体源在工艺气体中通过诱导等离子体生成一种或多种物质；和将工件暴露于等离子体中生成的物质。工艺气体可包括第一气体和第二气体的混合物。第一气体可包括含氢气体和含氮气体的一种或多种。第二气体可包括含氟气体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 表面 去除 氧化物 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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