[发明专利]MEMS器件在审
| 申请号： | 201980049523.6 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112470298A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 岸本谕卓;池内伸介;藤本克己;木村哲也;黑川文弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L41/047 | 分类号： | H01L41/047;B81B7/02;H01L41/09;H03H9/17 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李国华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | MEMS器件(101)具备由压电体的单晶构成的压电层(10)、配置于压电层(10)的第一方向(91)的表面的第一电极(14)、以及配置为覆盖压电层(10)的第一方向(91)的表面的作为第一层的中间层(3)。压电层(10)的至少一部分包含在膜片部(6)中。第一电极(14)被第一层(3)覆盖且具有凹部。压电层(10)在与第一电极(14)的至少一部分对应的位置处具有贯通孔(18)，该贯通孔(1g)贯穿压电层(10)，使得将压电层(10)的与第一方向(91)相反的一侧即第二方向(92)的表面与所述凹部连结。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980049523.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
