[发明专利]使用导电柱技术的三维高质量无源结构在审
| 申请号： | 201980049621.X | 申请日： | 2019-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN112514060A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | K·刘;C·H·尹;J·金;M·F·维纶茨 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/50;H01L23/522;H01L23/538;H01L23/64;H01L23/66;H01L23/15 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云;陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用导电柱技术、而非穿孔技术的无源结构包括具有第一重分布层(RDL)的基板以及该基板上的三维(3D)集成无源器件。无源结构包括基板上的多个柱，其中每个柱比3D集成无源器件高。无源结构进一步包括在基板上围绕3D集成无源器件和柱的模塑件。此外，无源结构包括通过柱耦合到第一RDL的多个外部互连。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 导电 技术 三维 质量 无源 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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