[发明专利]磁场施加装置有效
| 申请号： | 201980053798.7 | 申请日： | 2019-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN112585414B | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 榧野茜;浅野能成 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | F25B21/00 | 分类号： | F25B21/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 徐丹;邓毅 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 磁场施加装置(20)包括轭部(30)，轭部(30)形成至少两个闭合磁路(44～46)，闭合磁路(44～46)将永久磁铁(28)的磁化方向两端磁连接而构成闭合回路。在至少一个闭合磁路(44～46)中，设有磁场施加部(25、26)。在闭合磁路(44～46)的至少一者中，设有线圈(47、48)，线圈(47、48)可对施加于磁工质(27)的磁场的强度进行改变。当线圈(47、48)未通电时，永久磁铁(28)的磁通分流到两个以上闭合磁路(44～46)。其结果是，能够使磁场施加装置的线圈电流的最大值较小。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 施加 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大金工业株式会社，未经大金工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980053798.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：最佳放置及组合机会目标
- 下一篇：半导体装置的制造方法
