[发明专利]涂布膜形成方法以及涂布膜形成装置在审
申请号: | 201980057624.8 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN112655074A | 公开(公告)日: | 2021-04-13 |
发明(设计)人: | 稻叶翔吾 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;B05C11/08;B05D1/40;B05D3/00;B05D3/04;G03F7/09;G03F7/16 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在基板的面内快速形成膜厚均匀性高的涂布膜。实施以下工序:保持工序,由基板保持部保持基板;气流形成工序,对所述基板的周围进行排气来在该基板的表面形成气流;涂布液供给工序,向所述基板的表面供给用于形成涂布膜的涂布液;气流控制工序,使用于覆盖所述基板的覆盖构件相对于被供给了所述涂布液的基板从第一位置向第二位置相对移动,在该第二位置处的覆盖构件与以第一转数旋转的所述基板的表面之间形成的间隙,以流速比覆盖构件位于所述第一位置时的流速大的方式形成所述气流;以及膜厚分布调整工序,接着使所述基板以比所述第一转数高的第二转数进行旋转,以甩落所述基板的周缘部的涂布液来调整所述涂布膜的膜厚分布。 | ||
搜索关键词: | 涂布膜 形成 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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