[发明专利]光测量装置在审
| 申请号： | 201980059026.4 | 申请日： | 2019-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN112703586A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 中村共则 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/17 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式具备：光源(9a)，其生成包含第一波长的测量光；光源(9b)，其生成包含第二波长的刺激光；作为WDM光耦合器的光耦合部(11)，其包含在输出端(11a2)与输入端(11a1、11b1)之间分叉设置的光纤(11a、11b)，输入端(11a1)与光源(9a)的输出光学耦合，输入端(11b1)与光源(9b)的输出光学耦合，将测量光与刺激光合波而生成合波光，将合波光从输出端(11a2)输出；光检测器(29)，其检测来自DUT(10)的反射光的强度；光照射/导光系统(5)，其将合波光向DUT(10)上的测定点(10a)导光，将来自测定点(10a)的反射光向光检测器(29)导光；和电流镜(19)，其使测定点移动，光纤(11a、11b)对第一波长以单模传输光。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
