[发明专利]原位集成型腔室在审
| 申请号： | 201980059554.X | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN112930591A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李学斌;舒伯特·S·诸;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;帕特里夏·M·刘;高拉夫·塔雷贾;雷蒙德·霍曼·洪 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文论述的系统及方法用于群集工具，群集工具可用于MOSFET装置制造，MOSFET装置包括NMOS及PMOS装置。群集工具包括处理腔室，用于预清洁、金属硅化物或金属锗化物膜形成、及表面保护操作，如覆盖和氮化作用。群集工具可包括被配置为形成源极和漏极的一个或多个处理腔室。将在群集工具中制造的装置制造成具有至少一个保护层，此至少一个保护层形成于金属硅化物或金属锗化物膜上方以在处理期间保护膜免受污染并且传送至分隔系统。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 集成 型腔室 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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