[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审
| 申请号： | 201980060789.0 | 申请日： | 2019-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN112740367A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 守田聪;饱本正巳;森川胜洋;水永耕市;岩下光秋;金子聪 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C23C18/31;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种基片处理装置，其包括：将保持基片的旋转台旋转驱动的机构；电加热器，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，对载置于旋转台上的基片进行加热；受电电极，其以与旋转台一起旋转的方式设置于旋转台，且与电加热器电连接；供电电极，其通过与受电电极接触，来经由受电电极对电加热器供给驱动电功率；电极移动机构，其能够使供电电极与受电电极相对地接触和分离；对供电电极供给驱动电功率的供电部；包围旋转台的周围的处理杯状体；对基片供给处理液的至少1个处理液喷嘴；作为处理液至少将非电解镀覆液供给至处理液喷嘴的处理液供给机构；和控制电极移动机构、供电部、旋转驱动机构和处理液供给机构的控制部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980060789.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：溅射靶以及用于制造溅射靶的粉体
- 下一篇：晶圆收纳容器的清洗方法及其清洗装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
