[发明专利]由3D堆叠集成电路实施的功能块在审
申请号: | 201980063036.5 | 申请日: | 2019-10-17 |
公开(公告)号: | CN112771669A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | T·M·布鲁尔 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L27/11597;H01L27/11578;H01L27/11551;H01L27/11514;H01L27/06 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 彭晓文 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种三维堆叠集成电路3D SIC,其具有:非易失性存储器裸片,其具有非易失性存储器分区阵列;易失性存储器裸片,其具有易失性存储器分区阵列;及处理逻辑裸片,其具有处理逻辑分区阵列。所述非易失性存储器裸片、所述易失性存储器裸片及所述处理逻辑裸片经堆叠。所述非易失性存储器裸片、所述易失性存储器裸片及所述处理逻辑裸片可经布置以形成功能块阵列,且至少两个功能块可各自包含减少控制器的计算量的不同数据处理功能。 | ||
搜索关键词: | 堆叠 集成电路 实施 功能块 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的