[发明专利]半导体装置、通信模块和半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980063675.1 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN112930587A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 松本一治;柳田将志 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L21/336;H01L21/822;H01L27/04;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/812 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 该半导体装置包括：半导体基板；沟道层，形成在半导体基板上；势垒层，形成在沟道层上；栅电极，经由栅极绝缘膜设置在势垒层上；源电极和漏电极，设置在沟道层上且栅电极介于源电极与漏电极之间；基板开口，设置成贯通沟道层以暴露半导体基板；绝缘膜，在基板开口的内侧上从栅电极、源电极和漏电极的上方设置该绝缘膜；以及配线层，设置在绝缘膜上并且经由设置在绝缘膜上的开口电耦接至栅电极、源电极和漏电极中的一个，其中，基板开口的至少一部分形成在设置有栅电极、源电极和漏电极的活性化区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 通信 模块 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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