[发明专利]激光加工方法、半导体器件制造方法和检查装置在审
| 申请号： | 201980065075.9 | 申请日： | 2019-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN112789707A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 坂本刚志;铃木康孝;佐野育 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/301 | 分类号： | H01L21/301;H01L21/78;B23K26/00;B23K26/53;B24B7/00;B24B49/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的检查装置包括：支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片的平台；输出对于半导体衬底具有透射性的光的光源；使在半导体衬底中传播的光透射的物镜；检测从物镜透射的光的光检测部；和检查部，其在最靠近半导体衬底的背面的改性区域与背面之间的检查区域中，检查从最靠近背面的改性区域向背面侧延伸的裂纹的前端位置，物镜从背面侧对焦到检查区域内。光检测部是检测在半导体衬底中从半导体衬底的正面侧传播到背面侧的光。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 加工 方法 半导体器件 制造 检查 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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