[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201980065412.4 | 申请日： | 2019-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN112805827A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 富士和则 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 丁文蕴;杜嘉璐 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置(A1)具有：半导体元件(10)，其具有在厚度方向(z)上互相朝向相反侧的元件主面以及元件背面，在元件主面上形成有主面电极(11)、即第一电极(111)，在元件背面上形成有背面电极(12)；导电部件(22A)，其与元件背面对置，且导通接合有背面电极(12)；导电部件(22B)，其与导电部件(22A)分离地配置，与主面电极(11)导通；以及引线部件(51)，其具有朝向与元件主面相同的方向的引线主面(51a)，并连接主面电极(11)和导电部件(22B)。引线部件(51)包括从引线主面(51a)向厚度方向(z)突出的突起(521)，并且经由引线接合层(321)与主面电极(11)接合。从厚度方向(z)观察，突起(521)与主面电极(11)重叠。通过这样的结构，能够抑制烧结处理时的加压引起的连接部件的变形。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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