[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置在审
申请号: | 201980065636.5 | 申请日: | 2019-09-25 |
公开(公告)号: | CN112789709A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 犹原英司;冲田有史;角间央章;增井达哉 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B05C11/08;H01L21/027 |
代理公司: | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人: | 魏彦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种能够监视喷出到基板的端部的液柱状的处理液的着落位置的基板处理方法。基板处理方法具有保持工序、旋转工序、上升工序、斜面处理工序、拍摄工序以及监视工序。在保持工序中,使基板保持部保持基板。在旋转工序中,使基板保持部旋转来使基板旋转。在上升工序中,使包围基板保持部的外周的杯构件上升,使杯构件的上端位于比基板的上表面高的上端位置。在斜面处理工序中,从位于比该上端位置低的位置的喷嘴的喷出口向基板的上表面的端部喷出处理液。在拍摄工序中,使相机对从基板的上方的拍摄位置观察的拍摄区域进行拍摄,获得拍摄图像,在该拍摄区域中包括从喷嘴喷出的处理液以及映现在基板的上表面的喷出液的镜像。在监视工序中,基于拍摄图像中的处理液与该镜像,监视处理液的着落位置。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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