[发明专利]用于共同制造多个半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201980068128.2 | 申请日： | 2019-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN112868088A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | D·索塔 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于共同制造多个半导体结构(8)的方法。所述方法包括：提供由具有主表面的载体(2)、布置于载体(2)的主表面上的介电层(3)和布置于介电层(3)上的多个晶体半导体生长岛(4)形成的衬底。所述方法还包括：在生长岛上形成至少一个晶体半导体有源层(6)。根据本发明，所述方法包括：在形成有源层(6)的步骤之后，在有源层(6)和生长岛(4)中形成沟槽(7)，以界定多个半导体结构(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 共同 制造 半导体 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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