[发明专利]成像装置在审
| 申请号： | 201980068538.7 | 申请日： | 2019-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN112913022A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 斋藤聪哲;斋藤卓;藤井宣年 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 邓珍;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种成像装置(1)，所述成像装置包括：成像元件(10)；和半导体元件(20、30)，所述半导体元件与所述成像元件相对设置并电气连接到所述成像元件。所述半导体元件包括：设置在中央部的配线区域(20A、30A)和在所述配线区域的外侧的周边区域(20B、30B)；配线层(22、32)，所述配线层在所述配线区域中具有配线；半导体基板(21、31)，所述半导体基板隔着所述配线层与所述成像元件相对，并具有从所述配线层侧依次设置的第一面(Sa、Sc)和第二面(Sb、Sd)；和抛光调整部(23、33)，所述抛光调整部由抛光速率比所述半导体基板的构成材料的抛光速率低的材料构成，所述抛光调整部配置在所述周边区域的至少一部分中，并且从所述第二面沿所述半导体基板的厚度方向设置在所述半导体基板中。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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